比亚迪SiC项目公布 总投资超2亿元

公示信息显示，该项目位于郑州比亚迪新材料产业园，项目总投资2.15亿元，项目将依托园区现有的6# 厂房1层进行建设，主要布局碳化硅衬底片加工产线，规划年产1.6万片。根据上面信息可以看出，该项目不涉及……

全球首座12英寸氮化镓工厂宣布开建 总投资超80亿元

昨日（10月27日），英飞凌又在氮化硅领域迈出重磅一步——宣布建立全球首座12英寸氮化镓大规模量产晶圆厂。据英飞凌官网消息，该项目总投资额为11亿欧元（约合人民币81.6亿元），投资周期持续至2034……

台积电拟上调CoWoS先进封装报价10%至20% 英伟达AMD成本承压

10月27日，据中国台湾《工商时报》援引供应链消息人士报道，受AI需求爆发、半导体供应链产能全面紧张影响，台积电正考虑将其先进封装服务价格上调10%至20%，涨价的核心产品为用于高端AI芯片的CoWoS封装技术。

英飞凌启动全球首条300mm氮化镓功率晶圆产线 计划2027年量产

英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设全球首条300毫米氮化镓功率半导体量产线，投资约11亿欧元，生产预计2027年年底启动。英飞凌本就是氮化镓晶圆技术的世界领先者，这次把晶圆尺寸从200毫米升级到300毫米，尺寸一上去……

卓胜微以全自研短距芯片矩阵深耕星闪生态

在2026星闪生态创新展上，国内射频前端芯片龙头企业卓胜微以全自研芯片矩阵发力星闪生态，为星闪设备提供射频前端芯片支撑：面向车规与工业应用，UWB超宽带芯片MXD2710覆盖儿童存在检测、手势识别、指向遥控……

三星晶圆代工推出面向汽车芯片的8LPU+低功耗工艺

三星电子在2026年10月23日正式发布8LPU+代工工艺，升级其成熟深紫外光刻平台，用以抢夺汽车芯片与边缘人工智能芯片订单。该工艺功耗降低15%，逻辑面积缩减8%。作为第二代 8 纳米工艺节点，对比基础版 8L……

DDR6规格曝光 长鑫存储表态优先保障本土供货

根据美光路线图分析，下一代DDR6内存或将升级至192bit接口，搭配17600 MT/s速率，理论带宽最高422.4GB/s，远超DDR5。新品有望采用CAMM2模块，可选PAM4信号方案，带宽红利主要利好核显、本地A

Cadence与英伟达发布全新AI模型，实现EDA自动化运行

楷登电子与英伟达联合发布Maestro AI模型系列，基于Nemotron微调适配芯片设计工具，输出质量最高提升30%且token处理效率最高提升5倍，支持VPC私有云及本地私有化部署方案与API调用。

阿里巴巴腾讯等与三星SK海力士洽谈DRAM十年长期供应协议

最新行业报告显示，尽管中国近年来持续推进存储芯片国产化战略，但在高性能DRAM领域实现完全自主供应仍面临巨大挑战。由于本土厂商产能和技术能力暂时无法满足市场需求，包括阿里巴巴、腾讯和字节跳动在内的多家中国…

星闪3.0发布：无损音频等三项标准落地 华为海思联想等参与共建

星闪3.0最值得聊的，是它把矛头直接对准蓝牙和WiFi这两位老前辈。说白了它不玩兼容替代那套，要在低时延、高并发、精定位上做出真差异，而不是又做一个差不多的连接协议凑热闹。落到具体进展，3.0标准从2025年8月启…