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三星HBM报价超25%溢价，HBM4价格据称达HBM3E三倍

据业内估算，三星在HBM市场的报价显著高于竞争对手。目前三星HBM报价约为每Gb 4.50美元，而美光约为4美元，SK海力士为3.60至3.80美元，三星的溢价幅度最高可达25%。这一溢价主要源于当前……

2026年10月26日 10:58 三星 HBM4 存储芯片 AI算力
中国工业互联网研究院启动“TokenPerf-国芯国模”适配评估

中国工业互联网研究院正式启动“TokenPerf-国芯国模”适配评估工作，为国产AI芯片及模组厂商、大模型厂商、AI服务器与智算整机厂商、智算中心建设与运营方的系统适配、应用部署和产品选型提供参考，助……

2026年10月25日 10:03 国产AI芯片大模型智算适配评估工业互联网
三星2027年内存产能八成被长约锁定 HBM涨幅最高150%

三星2027年内存产能已被长期协议大面积锁定，消费级内存正走向新一轮两位数涨价——韩国投资机构KB证券的最新披露，将AI算力狂潮下存储芯片供应紧张的结构性现实摆上台面。八成产能被长约锁定，数据中心抢食……

2026年10月25日 10:01 三星存储芯片 HBM 长约涨价
台积电评估在厂务设备中替换中国大陆稀土永磁体降低断供风险

据报道，台积电已向多家工厂自动化设备供应商发出初步技术问卷，评估在洁净室机械电机中替换中国大陆稀土永磁体的可行性。稀土永磁体在芯片制造中扮演着不起眼但无可替代的角色。现代晶圆厂高度依赖永磁同步电机，这…

2026年10月25日 10:00 台积电稀土永磁体晶圆厂设备
分析师：GeForce短缺并非产能不足而是英伟达将晶圆产能转向AI芯片

据报道，行业分析师Ed Zitron近日提出了一项尖锐观点：当前GeForce游戏显卡的短缺，并非源于自然的半导体产能不足，而是英伟达主动将产能大规模转向AI芯片所导致的结果。更讽刺的是，这些被优先生……

2026年10月25日 9:58 英伟达 AI芯片晶圆产能 GeForce 数据中心
英特尔CTO：与台积电制程技术差距已缩小至10%以内产能追赶仍需时间

当地时间 10 月 22 日，Dwarkesh Patel 放出了一段针对英特尔首席技术官普什卡尔 · 拉纳德（Pushkar Ranade）的采访视频。拉纳德表示，从制程技术角度来看，英特尔与台积电……

2026年10月25日 9:55 英特尔台积电制程先进工艺晶圆产能
全线扩产仍供不应求光刻机被抢疯了

10月21日，佳能披露增产计划，明年半导体光刻设备的产量最高将接近今年的两倍。就在前一天，尼康宣布启动更高精度数字光刻设备的研发，继续布局先进封装市场。一周前，全球光刻机龙头ASML在第三季度财报中披……

2026年10月25日 9:54 光刻机 ASML 佳能尼康半导体设备
进迭时空发布V100芯片 RISC-V迈入数据中心市场国产算力开辟差异化新路径

近日，进迭时空在第六届RISC-V中国峰会上正式发布V100芯片，这是业内首颗完整符合RISC-V服务器规范的通用计算芯片，并同步推出计算、智算、存储三类服务器整机方案。据悉，该芯片打通了芯片、固件、……

2026年10月24日 13:21 进迭时空 RISC-V V100 数据中心
长江存储据称正研发9600 MTs LPDDR5X内存计划推进量产

中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正在将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM内存领域。据Counterpoint Research近期披露的信息，长江存储正在开发数据传输速率达到9600 MT/s……

2026年10月24日 13:17 长江存储 LPDDR5X 内存存储芯片
高通被曝计划全球裁员

高通CEO克里斯蒂亚诺·安蒙已在一份内部备忘录中告知全体员工，公司计划在年度绩效考核流程结束之后，启动一轮覆盖全球范围的裁员，相关人事变动通知预计从11月开始陆续下发到相关员工手中。截至目前，高通官方……

2026年10月24日 13:15 高通裁员芯片设计经营调整
三星海力士升级中国 NAND工厂长江存储改变竞争格局

一座工厂最尴尬的处境，或许是母公司已经掌握更新的技术，却无法确定何时能把它搬进车间。10月21日，路透社披露，三星计划将西安工厂部分产线升级至286层V9 NAND，SK海力士准备在大连制造240层及以上NAND。

2026年10月24日 12:57 三星 SK海力士长江存储 NAND 存储芯片
拓扑量子器件领域获重要突破有望用于低功耗量子芯片

光明日报北京10月22日电（记者晋浩天）想象一条单向行驶的高速公路，路面断裂或被挖出横沟，车辆本该受阻。但类似的情况发生在拓扑量子器件的一条“量子车道”上，科学家发现“车辆”照样畅通无阻。北京大学物理……

2026年10月24日 12:55 拓扑量子量子芯片低功耗半导体
美国FCC首次动用新规两款搭载海思芯片的设备被禁

当地时间10月22日，美国联邦通信委员会（FCC）首次行使一项本月早些时候刚获得的新权力，以含有“外国监控芯片”为由，阻止了两款搭载华为子公司海思（HiSilicon）生产的UHD Smart Vis……

2026年10月24日 12:45 FCC 海思芯片出口管制安防
台企布局广西打造高端半导体材料“链主”基地

抢抓AI浪潮机遇台企布局广西打造高端半导体材料“链主”基地在广西海峡两岸产业合作区钦州片区，台资企业广西安鑫电子材料有限公司年产70万吨高端半导体化学材料生产基地项目正加速推进。作为钦州片区高端半导……

2026年10月24日 12:37 半导体材料台企广西产业链碳化硅
三星2027年内存产能80%被长约锁死 HBM涨价最高150%

三星2027年内存产能已被长期协议大面积锁定，消费级内存正走向新一轮两位数涨价——韩国投资机构KB证券的最新披露，将AI算力狂潮下存储芯片供应紧张的结构性现实摆上台面。八成产能被长约锁定，数据中心抢食……

2026年10月24日 12:27 三星 HBM 内存存储芯片涨价
英特尔申请FCC豁免：芯片工厂AGV机器人依赖海外设备

英特尔向美国 FCC 提交豁免申请，希望在外国制造先进机器人禁令下获得特例，继续使用、维护、升级海外厂商生产的自动导引 AGV 机器人，这类设备是晶圆厂内部晶圆转运、物料调度核心装备。公告同时提示，台……

2026年10月23日 17:30 英特尔 AGV 机器人晶圆厂 FCC
美光正式放弃4F²DRAM路线，押注晶圆键合与3D堆叠技术

美国存储芯片企业美光科技正式放弃导入被视为下一代DRAM微缩技术关键关卡的4F²（4F平方）单元结构。外界解读，美光不再强行推进4F²路线，转而延续现有6F²结构，并全力押注晶圆键合、3D堆叠技术路线……

2026年10月23日 17:27 美光 4F2 3D DRAM 晶圆键合
SK海力士押注iHBM：给HBM降温，从HBM5开始用

SK海力士正在和供应链伙伴一起，为一项叫iHBM的新技术做准备。按这家公司的规划，iHBM属于下一代高带宽内存，核心思路是在HBM里集成冷却元件，用来降低HBM的发热。落地节奏也已经给出：iHBM计划……

2026年10月23日 17:25 SK海力士 iHBM HBM 散热存储芯片
三星美国首条晶圆代工量产线扩产，月产能将达2万片

10月23日，据韩媒消息，三星电子已启动美国泰勒1工厂的后续设备投资，目标是填满现有闲置空间，并在明年下半年将2纳米（nm）工艺产能提升至每月2万片。泰勒1工厂是三星电子在美国的首条晶圆代工量产线。

2026年10月23日 17:22 三星泰勒晶圆代工产能先进制程
美国首次动用新规，搭载海思芯片的设备被拦截

当地时间10月22日，美国联邦通信委员会（FCC）发文称，已依据13日正式生效的新规，阻止两款搭载华为旗下海思半导体芯片的设备进入美国市场。这是FCC首次动用这项新规对具体产品采取行动，意味着美国对中……

2026年10月23日 17:20 FCC 海思华为芯片出口管制