公示信息显示，该项目位于郑州比亚迪新材料产业园，项目总投资2.15亿元，项目将依托园区现有的6# 厂房1层进行建设，主要布局碳化硅衬底片加工产线，规划年产1.6万片。
根据上面信息可以看出，该项目不涉及碳化硅晶体生长，而是切磨抛的衬底片加工段。
事实上，郑州航空港经济综合实验区还披露，2023年6月，比亚迪在同一园区获批了总投资高达33亿元的新材料生产线建设一期项目，占地总面积近69.75万m²。该项目的建设内容覆盖晶体成型与耐压基板环节。
公开资料显示，比亚迪对碳化硅衬底的研究，可追溯到2018年前后。据悉，当时中央研究院体系内已启动SiC单晶生长、衬底制备方向的预研。
2020年，深圳本地官方媒体披露，比亚迪中央研究院第三代半导体研究中心已攻克“碳化硅晶圆衬底全环节工艺和设备制造技术”，4英寸SiC晶圆性能达世界先进水平。
2021-2023年，比亚迪中研院继续推进碳化硅单晶生长技术转化。
2021年，比亚迪在深圳坪山投资2亿元，建设一条年产1.2万片的碳化硅外延片生产线。该项目位于深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地(二期)地块西侧的D53# 厂房。厂房占地面积9000m²，项目建筑面积约500m²。
2023年6月，比亚迪拟投资约2.14亿元，在原有的D53# 厂房1、4楼以及D50# 厂房西北角，建设碳化硅外延中试线量产项目，扩产后将新增SiC外延片产能6000片/年，合计产能达1.8万片/年。该项目建设计划在当年9月建成。
比亚迪方面表示，该项目建设主要是为了承接比亚迪中研院内部高质量碳化硅单晶生长技术的开发，为比亚迪后端电动车和云轨产业的碳化硅功率器件提供高质量外延片，帮助公司实现在碳化硅全产业链的闭环和垂直整合。
比亚迪目前在碳化硅方面已经实现了从衬底、外延、芯片制造、模块制造和终端应用的全产业布局。芯片方面，比亚迪目前已经在宁波基地进行SiC晶圆制造。
建设历程：2021年-2022年：宁波比亚迪半导体利用位于宁波保税区的已建厂房进行升级改造，规划建设SiC功率半导体晶圆制造产线，建筑面积3.43万m²，2025年11月，项目顺利通过竣工环保验收。
产能情况：升级改造后，该基地生产规模调整为年产7.8万片IGBT、7.8万片FRD，以及24万片SiC新型功率半导体芯片（及其它产品）。2025年3月1500V大功率SiC芯片已搭载汉L、唐L上市；同期启动1200V沟槽栅SiC MOSFET研发，预计配套产线进一步升级后，该晶圆月产将再增加超1万片。
此外，比亚迪半导体已打通碳化硅功率模块的自研自产，自2020年“汉”车型首次批量搭载自研SiC主驱模块以来，其碳化硅模块产品已规模应用于王朝、海洋、腾势、仰望等高压平台车型的主驱逆变器与兆瓦闪充体系。同时，比亚迪的SiC器件能力也正向储能PCS、储充一体系统延伸，支撑比亚迪集团新能源汽车与储能业务的自主可控和高压化迭代。
