英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设全球首条300毫米氮化镓功率半导体量产线，投资约11亿欧元，生产预计2027年年底启动。
英飞凌本就是氮化镓晶圆技术的世界领先者，这次把晶圆尺寸从200毫米升级到300毫米，尺寸一上去，每片晶圆能切出的芯片数量变成原来的2.3倍，单位芯片的成本自然往下掉。
项目利用菲拉赫现有厂的洁净室和配套基础设施，英飞凌自己的说法是这样扩展产能最高效、最省钱。
奥地利政府还给了一笔3.19亿欧元的补贴，依据是欧盟芯片法案下的技术主权条款。
英飞凌2023年10月收购了加拿大GaN Systems公司，花了8.3亿美元，这笔收购被视为它在氮化镓上加速的起点，两年前英飞凌就在300毫米氮化镓晶圆上跑通了工艺，这次是把工艺搬到量产线。
氮化镓相比硅的优势在于开关效率更高、电子迁移率更大、耐压更好，能做出更小、更高效、发热更低的电源系统。
现在氮化镓已经用在充电器、适配器、电机控制里，AI系统的供电、太阳能逆变器、电动汽车和机器人也在陆续导入。
Yole Group今年7月发布的研究预估，到2031年氮化镓功率半导体市场约35亿美元，2025到2031年年均增长约35%。
300毫米量产一旦把氮化镓的成本压到硅的水平，它在成本上不如硅的这个老问题就能大幅缓解。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck的表态是，这是英飞凌对强化欧洲半导体生态和欧洲技术主权的明确承诺，把创新领导力转成客户能直接用的效益。
