据相关报道，三星晶圆代工业务获得AMD关键订单，后者确定将下一代HBM基础裸片交由三星位于美国得州的泰勒第二座晶圆厂生产。基础裸片作为HBM堆栈底部的逻辑芯片，承担数据传输与控制逻辑职能。随着HBM速率提升，其制程要求已从成熟节点跃升至先进逻辑代工级别，直接影响内存带宽、功耗及整体性能。
泰勒二号工厂将成为这笔订单的核心承载。该厂占地约270万平方英尺，规模为第一座工厂的1.5倍，预计本月正式动工。工厂规划采用2nm级先进制程，设备安装计划于2029年2月启动，2030年进入商业化量产阶段。报道指出，该厂规划产能已几乎全部被客户预订，其中AMD占据绝大部分份额，留给其他客户的余量极其有限。
三星目前的HBM4基础裸片采用4nm逻辑工艺，支持最高13Gbps引脚速率与3.3TB/s单堆栈带宽。泰勒二号厂的2nm产能瞄准后续更高速率、更低功耗的下一代HBM需求。通过将基础裸片在美国代工、DRAM在韩国生产并完成先进封装，三星正整合存储器与逻辑代工能力。这一合作为三星在高性能计算领域提供了客户背书，尽管英伟达倾向于将定制HBM基础裸片统一交由台积电制造以保持一致性。
先进制程代工与高性能存储深度绑定，正成为头部厂商构建供应链壁垒的关键路径。
