矽容微电子申请HBM内存缺陷检测系统专利

国家知识产权局信息显示,四川矽容微电子科技有限公司申请一项名为“一种HBM内存缺陷检测系统及其检测方法”的专利,公开号CN123046642A,申请日期为2026年8月。专利摘要显示,本申请涉及内存芯……

国家知识产权局信息显示,四川矽容微电子科技有限公司申请一项名为“一种HBM内存缺陷检测系统及其检测方法”的专利,公开号CN123046642A,申请日期为2026年8月。

专利摘要显示,本申请涉及内存芯片检测技术领域,具体而言,涉及一种HBM内存缺陷检测系统,包括:架体;上移动云台,活动设置于架体上,至少包括竖直方向的移动度;检测电路板,固定设置于上移动云台上,检测电路板上设置有与HBM内存对应的探针矩阵,探针矩阵位于检测电路板的下表面,探针矩阵上探针的排列方式与HBM内存上微焊点的排列方式相同;由此,在出现探针与微焊点错位时,利用加热装置对承载块的分区加热所产生的热胀冷缩形变,对承载于其上的待测HBM内存的空间位置进行精细调整,从而以更高的精度实现探针与微焊点的精准对准,确保每一条数据线均能获得有效检测,满足缺陷HBM芯片再利用方案对数据线通断状态严格、完整获取的需求。

THE END
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