10月19日，据媒体报道，三星电子将首次与台积电在高带宽内存（HBM）制造阶段展开合作，采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存HBM的基础芯片。
据了解，英伟达此前已要求三星、SK海力士、美光科技三家内存供应商，统一采用台积电3纳米工艺制造NVHBM基础芯片，同时采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星在经过内部审查后已接受该要求，不过其标准HBM产品以及面向其他客户的定制HBM产品，仍将保留原有内部生产模式。
英伟达于今年8月发布NVHBM，该产品将英伟达定制内存控制器集成到基础芯片中，官方数据显示其内存带宽较标准HBM4E高出30%，同时功耗降低15%。为实现这一性能表现，英伟达推动跨供应商的生产标准化，要求基础芯片统一采用台积电3纳米工艺，以此减少对不同供应商样品的单独验证环节，节省时间与研发资源。
此前三星在HBM生产中通常采用交钥匙模式，即从设计到封装全流程独立完成，无需客户协调不同环节厂商；SK海力士则采取分工模式，将HBM4的基础芯片交由台积电代工。本次合作中，三星将与台积电联合开发3纳米制程的HBM基础芯片，最终生产符合英伟达标准的产品，同时三星也在探索成为NVHBM基础芯片产能备份的可能性，兼顾NVHBM相关需求与自身原有产品线布局。
