近日，中国电科下属北京中电科公司宣布，其自主研制的首台套碳化硅（SiC）器件晶圆全自动减薄机已交付国内头部晶圆企业，并投入量产应用。此次交付标志着该公司已形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的成套解决方案。背景上，随着新能源汽车800V高压平台普及、光伏储能标准迭代及AI算力电源需求释放，化合物半导体产业正迎来规模化扩张的关键窗口期。
晶圆减薄是半导体制造的核心工序，旨在去除背面多余基体材料以满足封装厚度要求并改善散热。由于碳化硅材料硬度极高且难磨削，加工过程中易产生崩边、微裂纹甚至破片，这对设备的刚性、主轴抑振及工艺闭环控制提出了严苛挑战。针对这一行业痛点，北京中电科研发的全自动减薄机采用三轴四工位结构，集成自动化传输与清洗单元，实现了“干进干出”的全自动加工流程，有效压缩了工序流转时间。
经量产实测，该设备在处理8英寸碳化硅晶圆时，最低可稳定磨削至120微米厚度，每小时产出不低于15片，且磨削后晶圆内厚度偏差控制在3微米以内，满足了规模化量产对产能与一致性的要求。此外，设备搭载自研高刚度精密气浮主轴，具备亚微米级回转运动精度，并配套高精度载荷检测功能以实时监控工艺、预警破片风险。据悉，该装备在8英寸碳化硅晶圆背面减薄工艺环节实现了国产设备的重大突破，补齐了我国化合物半导体制造装备的相关短板。
总体来看，该设备的量产交付有助于降低国内碳化硅功率器件生产对进口核心装备的依赖，推动产业链关键环节的自主可控进程。
