英特尔技术长Pushkar Ranade指出，受限于全球现有半导体制造设备规模，先进制程晶圆产量扩大十倍难度极大，提升至约两倍更具现实可行性。他强调，发展瓶颈不仅在于芯片设计与制程微缩，还涉及极紫外光（EUV）光刻、蚀刻及薄膜沉积设备等上游供应能力。若要进一步扩大产能，设备供应链必须同步成长。访谈还延伸至未来20年的技术方向，涵盖英特尔14A制程、高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）、背面供电、互补场效应晶体管（CFET）及混合键合等技术，探讨如何突破现有制造模式限制。
英特尔主管Chris Auth透露，14A制程已研发超过三年，一套先进制程涉及约2000道制造步骤。从研发走向量产，除设备配置与制程优化外，缺陷控制及良率提升也是关键。鉴于过去10纳米制程因晶体管密度目标激进及同时导入复杂创新而延迟，公司如今通过技术成熟度评估与阶段性审查机制，控制单一制程节点同时导入重大创新的数量，以提升量产时程的可预测性。
在光刻技术方面，High-NA EUV被视为14A的重要技术选项。该技术将数值孔径从0.33提高至0.55，单次曝光分辨能力可提升约1.7倍。英特尔认为，搭配背面供电技术，High-NA EUV有望减少部分复杂图形所需的多重曝光步骤，但实际是否采用，仍须考量成本及客户芯片设计需求。
在摩尔定律物理极限日益明显的背景下，行业正通过3D堆叠与先进封装技术寻找新的性能提升路径。
