三星宣布即将量产首款 3nm Exynos 芯片

芯物联 5 月 7 日消息,三星电子宣布其首款采用 3nm GAA 工艺(Gate-All-Around,环绕式栅极)的系统级芯片 (SoC) 已完成流片 (taping out),该芯片有望在未来几个月内实现量产。

芯物联 5 月 7 日消息,三星电子宣布其首款采用 3nm GAA 工艺(Gate-All-Around,环绕式栅极)的系统级芯片 (SoC) 已完成流片 (taping out),该芯片有望在未来几个月内实现量产。三星的合作伙伴,电子设计自动化公司 Synopsys 透露,他们为该芯片的性能提升提供了 EDA 工具支持。

据IT之家了解,流片是整个芯片设计流程的最后阶段,标志着最终的设计文件已被送至晶圆代工厂,用于制作量产所需要的掩膜版。

这颗即将量产的芯片是三星首款用于高端移动设备的高性能芯片,包含 CPU、GPU 和多个来自 Synopsys 的 IP 模块。此前,三星自 2022 年底以来一直少量生产 3nm 芯片,但那些芯片主要用于加密货币挖矿,相对简单。而此次量产的芯片则代表了三星 Foundry 在高性能移动芯片领域的重大突破,有望搭载于即将发布的 Galaxy Watch 7 或 Galaxy S25 系列手机上。

据报道,三星采用了 Synopsys 提供的基于 AI 的 EDA 软件 Synopsys.ai,对芯片设计进行了微调,提升了性能并最大限度地提高了良品率。三星工程师还使用了 Synopsys Fusion Compiler 工具来优化功耗、性能和芯片面积 (PPA)。如果这些说法属实,那么三星下一代高端移动芯片可能会有显著的改进。

目前尚不清楚该芯片具体采用的是三星 Foundry 的第一代 (SF3E) 还是第二代 (SF3) 3nm GAA 工艺。考虑到智能手机芯片的复杂性,推测很可能是采用更适合复杂芯片的第二代工艺。

三星系统 LSI 部门副总裁Kijoon Hong 表示:“我们与 Synopsis 的长期合作一直引领着SoC设计的前沿。此次合作成功实现了最先进的移动 CPU 内核和SoC设计的最高性能、功耗和面积优化,这是一个了不起的里程碑。我们不仅证明了 AI 驱动的解决方案可以帮助我们在最先进的 GAA 工艺技术上实现 PPA 目标,而且通过此次合作,我们还建立了一个超高生产力的设计系统,并持续取得令人印象深刻的成果。”

三星和 Synopsis 宣称,后者的设计自动化工具帮助将该芯片的时钟频率提高了 300MHz,同时将功耗降低了 10%。工程师们通过设计分区优化、多源时钟树综合 (MSCTS)、智能布线优化以及简化的层次结构方法实现了这些改进。Synopsys Fusion Compiler 使得这些任务的完成速度大大加快,节省了数周的手动设计工作。

过去,三星 Foundry 生产的芯片在持续高负载的情况下往往会出现功耗偏高和性能下降的问题。三星的 GAA 设计有望解决这些问题,但目前还没有其他芯片厂商将其用于智能手机处理器和其他高性能芯片,这款首款 3nm Exynos芯片的量产将是检验其能否真正解决这些问题的重要一步。

THE END
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