2026年10月，三星电子与SK海力士确定，从2027年第二季度起，面向英伟达下一代AI加速器Rubin Ultra，大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4的8层堆叠产品。此前，Rubin Ultra原规划搭载第七代HBM4E的12层堆叠，单颗GPU显存容量指向288GB乃至更高，但受良率经济学、单位带宽成本及供应链交付确定性影响，英伟达决定调整规格。
据称，这一调整主要源于散热与良率压力。HBM4接口宽度翻倍至2048位，高层数堆叠导致热密度增加，且晶圆键合缺陷概率累积，使得12层方案后段制造损耗显著高于8层。成本分析显示，若采用12层HBM4E，内存成本可能占Rubin Ultra整体物料成本的约70%；切换至8层HBM4后，HBM成本可下降50%以上，内存占比从约40%降至28%。省下的成本被重新配置到光模块和Scale-up互联网络，以提升系统级带宽。
TrendForce指出，8层配置所用DRAM芯片更少，能支撑更多GPU出货。尽管单颗GPU HBM含量下降，但良率提升可能扩大HBM总出货堆栈数。对三星和SK海力士而言，需在有限产线上同时维持12层与8层产品流，8层产品单堆价值量较低，但对HBM业务营收结构形成挑战。Citrini分析师提出，降低堆叠层数提高封装良率，可能增加HBM及加速器出货量，进而扩大总需求。
此次规格变更折射出AI加速器设计逻辑从“容量堆叠”向“带宽成本”优化的转折。英伟达通过削减单卡HBM堆叠密度，将资源投向集群互联，以系统级带宽弥补单卡容量收缩。未来Rubin Ultra大概率采取8层为主、12层为辅的分层混合路线，在2027至2028年窗口内寻找动态均衡，应对推理负载对带宽的敏感需求。
