佳能计划2029年前将后端光刻机产能提升50%

2026-10-21 19:19 来源:芯物联

佳能计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提升50%。该公司正开发用于先进封装的i线光刻设备，新型FPA-8000iW机型支持510×515mm大尺寸基板，分辨率达0.8μm，具备高对准精度与大视场角。

佳能计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前提升50%。该公司正开发用于先进封装的i线光刻设备，新型FPA-8000iW机型支持510×515mm大尺寸基板，分辨率达0.8μm，具备高对准精度与大视场角。半导体设备事业部负责人三浦圣也指出，无掩膜直写技术目前尚未构成i线光刻在RDL制程中的直接竞争。此举旨在响应先进封装市场快速增长需求。

THE END

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