中国电科金刚石异质结获突破,为半导体材料制备提供新范式

中国电科产业基础研究院固态微波器件与电路全国重点实验室金刚石团队,在金刚石异质结取得突破,打造出首个立方相氮化铝/金刚石异质结材料和场效应晶体管。科研团队创新提出畴匹配外延生长模式,利用金刚石表面氢终……

中国电科产业基础研究院固态微波器件与电路全国重点实验室金刚石团队,在金刚石异质结取得突破,打造出首个立方相氮化铝/金刚石异质结材料和场效应晶体管。科研团队创新提出畴匹配外延生长模式,利用金刚石表面氢终端当作调控反应的平台,形成高质量单晶立方氮化铝/金刚石异质结,并成功研制出高性能增强型异质结场效应晶体管。这项工作完成了从理论计算到材料制备,再到器件验证的关键衔接,为高性能金刚石射频器件提供了材料基础。团队开发的异质结外延方法为半导体材料制备提供新范式。下一步,团队将继续优化材料与器件工艺,推动异质结技术发展,支撑新一代超宽禁带半导体的技术升级。

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