在接受 Dwarkesh 播客时，英特尔首席技术官（CTO）普什卡 · 拉纳德（Pushkar Ranade）表示：即便资金充足，全球尖端晶圆产量也难以扩大十倍，更现实的增长上限约为两倍。
在播客节目中，拉纳德被问及“世界上是否有足够工具，把前沿晶圆产量提高 10 倍”。对此他回应称“不是 10 倍，但可能达到 2 倍，是的。”他认为这一限制源于整个半导体供应链协同扩产的能力，而非某个单一环节。
IT之家援引博文介绍，拉纳德指出，AI 计算能力过去十年大约以每年三倍的速度增长，但制造先进芯片所需的关键设备、洁净室和晶圆厂规模，正在成为新的产能天花板。
其中，ASML 每年生产的 EUV 光刻机不足 100 台，且到本十年末也难以大幅扩产，而英特尔、台积电以及 SK 海力士等存储厂商共同争夺这些设备。
他进一步解释，今天下单的设备通常约 18 个月后才能交付，意味着产能要到 2028 年前后才能落地。新建晶圆厂也无法自动带来更多晶圆，重要原因是设备供应跟不上。
拉纳德解释称，若要整体提升产量，设备供应商、其上游供应商以及更底层的子供应商都必须同步增加产能。换言之，光刻机、关键零部件、材料、检测设备与工厂建设等环节，只要有一处“卡脖子”，先进晶圆的最终产出就难以大幅跃升。
